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比較

代表的な半導体検出器の性能比較

CdTe (ショットキー) CdTe (オーミック) Cd1-xZnxTe* Ge Si
密度 (g/cm3) 5.85 5.85 ～5.8 5.33 2.33
原子番号 48,52 48,52 48,30,52 32 14
エネルギー分解能 <5%@60keV
<4%@122keV		 5～7%@60keV
6%@122keV		 10%@60keV
6%@122keV		 <1%@約100keV ～
0.1%@約1MeV
バンドギャップ
エネルギー (eV)		 1.44 1.44 ～1.65 0.67 1.12
電子・正孔対生成
エネルギー (eV)		 4.43 4.43 ～5.0 2.96 3.62
比抵抗室温下 (Ωcm) 109 109 109～1011 50 ～104
μe (cm2/V・s) 1100 1100 1000 3900 1400
μh (cm2/V・s) 100 100 50～80 1900 480
τe (s) 3×10-6 3×10-6 3×10-6 >10-3 >10-3
τh (s) 2×10-6 2×10-6 10-6 1×10-3 2×10-3
Remarks ダイオード特性により、漏れ電流が低減され、より良好なエネルギー分解能を得る事が出来る 低いバイアス電圧で動作可能であり、優れた時間安定性を有する インゴット内でのZn分布が均一にならないため、電気的特性が均一なウェハを作製する事が困難である 抵抗率が低いため漏れ電流が大きく、液体窒素やペルチェ 素子を使用して、氷点下までの冷却が必要となる 100keV超のγ線に対する吸収効率が著しく低い

 

 

代表的なシンチレーション検出器の性能比較

NaI(Tl) CsI(Tl) BGO
密度 (g/cm3) 3.67 4.51 7.13
実効原子番号 51 54 75
エネルギー分解能 10%@150keV 8%@662keV
 20%@511keV
発光波長 (nm) 415 565 480
相対シンチレーション効率 100% 45% 12%
潮解性 あり 僅かにあり なし