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素子/素子実装

当社では、世界をリードする金属精製技術、結晶成長技術、半導体プロセス技術の融合により、

CdTe素子の製造から基板への素子実装まで多様なニーズにお応えしています。当社CdTe素子は標準タイプと高分解能タイプを揃え、さまざまなサイズに対応しています。また、パターン電極形状に関してもフォトリソ技術を用いてピクセルやストリップ形状にてご提供しています。お客様より支給いただいた基板、ケースへの搭載も承っています。

 

 

CdTe素子完成までの作業工程

CdTe単結晶(インゴット)

当社THM法で製造した単結晶インゴットです。

切断(スライシングマシーン)

刃先にダイヤモンド砥粒が電着されており、CdTeインゴットを高精度に切り出します。~170mmの厚いウェハーを作成する際にも使用します。

研磨 (研磨装置)

切断したウエハー表面に電極形成を行うための鏡面研磨をします。

切断(ワイヤーソー)

インゴットをウエハー状に切断します。現在5mm厚のウエハーまで加工が可能です。

鏡面ウェハー (3inch )

研磨装置で研摩した鏡面ウエハーです。

蒸着 (高真空蒸着装置)

研磨ウエハーに電極形成を行います。

ダイシング (ダイシング装置)

電極形成したウエハーを仕様に合わせた素子形状に切り出します。

現像 (イエロールーム)

パターン電極を形成するフォトリソグラフィー技術を用いる際に使用。

現在、80umピッチの電極形成まで作成可能です。

完成品

CdTe素子

(ベア素子)切り出した状態の素子です。この状態でパッケージし、お客様へ提供することが可能です。

(ピクセル素子)フォトリソグラフィー技術を用いて作成したピクセル電極面です。
ボンディング材の漏れを防ぐためのパシペーション膜(AlN)を形成することも可能です。

素子実装(マウント素子)

銀エポキシを用いたボンディングを行っています。作成した素子のご要求素子基板へのマウントを行うことも可能です。

特殊トレーへの搭載

納入する際には、お客様からご支給いただく特殊トレーへの搭載に関しても柔軟に対応します。