PHOTO LITHOGRAPHY リソ品
フォトリソグラフィー技術を用いて、パターン電極を形成することができます。
1D、2D検出器をお考えのお客様は、詳細は当社までお問い合わせください。
基本パターン電極デザインルール
ピクセル電極の場合
●ピクセルピッチ：55μm 以上
●ピクセルサイズ ：40μm 以上
●ピクセル間ギャップ：15μm 以上
●ピクセルサイズ ：40μm 以上
●ピクセル間ギャップ：15μm 以上
ストリップ電極の場合
●ストリップ電極幅：40μm以上
●ストリップ電極間ギャップ：35μm以上
基本電極タイプ
インジウムショットキー電極素子低暗電流/ホール収集タイプ
●Pixel電極/共通電極
(-) pixel Pt/CdTe/In/Ti (+)
アルミニウムショットキー電極素子低暗電流/エレクトロン収集タイプ
●Pixel電極/共通電極
(+) pixel Au/Ti/Al/CdTe/Pt (-)
オーミック電極素子長時間安定/エレクトロン収集タイプ
●Pixel電極/共通電極
(+) pixel/Pt/CdTe/Pt (-)
Pixel側電極をAuやAu/Ni/Au層で仕上げることもできますので、ご用命の際にはご要望をお聞かせください。
ボンディングする際に、はんだバンプがCdTe素子表面に付着するのを防ぐため、Pixel電極側にAlN層を形成することができます。
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